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MI4946	文件：1.08927 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MP4946	文件：1.08912 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MT4946	文件：1.08903 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE4946	文件：26.04 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorUnidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
NTMFS4946N	文件：119.49 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET30V,100A,SingleN?묬hannel,SO??FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4946N	文件：116.24 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PE4946	文件：216.2 Kbytes Page：3 Pages	NFemaleBulkheadPrecisionConnectorSolderAttachmentForPE-047SR,PE-SR047AL,PE-SR047FL,.640inchDDHole	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PG4946	文件：55.84 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIER(VOLTAGE-200to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere) FEATURES ●Highsurgecurrentcapability ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound ●1.0ampereoperationatTA=55¢Jwithnothermalrunaway ●Fastswitchingforhighefficiency ●Exceedsenviron	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PN4946	文件：89.49 Kbytes Page：1 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SFH4946	文件：473.34 Kbytes Page：12 Pages	InfraredEmitterArrays(940nm)	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM

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