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CEM4204	文件：412.61 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■40V,7.3A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM4204	文件：603.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V,7.3A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=42mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM4204	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU4204	文件：389.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■40V,24A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V.RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU4204	文件：764.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU4204	文件：609.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,24A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=42mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
40
Rds(on)mΩ@10V：
28
Rds(on)mΩ@4.5V：
42
ID(A)：
7.3
Qg(nC)@10V(typ)：
13
RθJC(℃/W)：
50
Pd(W)：
2.5
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CEM4204	CETSEMI	25+	SOP-8	33898	CETSEMI全新特价CEM4204即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEM4204	CET/華瑞	20+	SO-8	120000	原装正品可含税交易	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	CEM4204	CET	23+	SOP-8	6000	原装正品，支持实单	询价

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