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CEM2152

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 9.0A, RDS(ON) = 20mW @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 26mW @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:512.799 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEM2152

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CNZ2152

Reflective Photosensor

文件:53.36 Kbytes 页数:2 Pages

Panasonic

松下

CNZ2152

Reflective photosensor

文件:93.89 Kbytes 页数:3 Pages

Panasonic

松下

D2152

NPN TRANSISTOR

文件:79.52 Kbytes 页数:1 Pages

STANSON

司坦森

技术参数

  • BVDSS(V):

    20

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    20

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    26

  • ID(A):

    9

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    11

  • RθJC(℃/W):

    50

  • Pd(W):

    2.5

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

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更多CEM2152供应商 更新时间2025-10-12 14:14:00