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CEK01N6G	文件：613.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 W @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. Lead free product is acquired. 文件：613.93 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEK01N7	文件：583.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 W @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. Lead free product is acquired. 文件：583.02 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEK01N7	文件：635.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 700V, 0.3A, RDS(ON) = 18 Ω @VGS = 10V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. 文件：635.44 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEK02N65A	文件：502.26 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 0.35A, RDS(ON) = 10.5 W @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. RoHS compliant. 文件：502.26 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEK02N7G	文件：674.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V, 0.4A, RDS(ON) = 6.75 W @VGS = 10V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TO-92(Bulk) & TO-92(Ammopack) package. RoHS compliant. 文件：674.19 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEK7000	文件：477.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：477.56 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEK7000A	文件：477.41 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 0.4A, RDS(ON) = 2Ω @VGS = 10V. RDS(ON) = 3Ω @VGS = 10V. ■ High dense cell design for low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ TO-92 package. 文件：477.41 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEK7002A	文件：401.51 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 0.3A, RDS(ON) = 6 Ω @VGS = 10V. RDS(ON) = 6 Ω @VGS = 5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-92 package. 文件：401.51 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEK1016	文件：151.92 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINIUM ELECTROLYTIC MINIATURE RADIAL CEK 文件：151.92 Kbytes 页数：2 Pages	DUBILIER	DUBILIER
CEK1016SL	文件：151.92 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINIUM ELECTROLYTIC MINIATURE RADIAL CEK 文件：151.92 Kbytes 页数：2 Pages	DUBILIER	DUBILIER

技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10.5
Qg(nC)@10V(typ)：
5.8
RθJC(℃/W)：
40
Pd(W)：
3.1
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	CEK	TI/德州仪器	25+	SC70-5	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEK02N6A	CET	24+		5000		询价
深圳市联世界科技有限公司	CEK150TA	DUBILIER	24+/25+		1250	原装正品现货库存价优	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	CEK40926MECB001RB2	MURATA	25+		4500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	CEK212BJ224KG-T	TAIYO/太诱	2022+	SMD	15000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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更多CEK供应商更新时间2025-12-24 17:23:00

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