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CEH2637

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (P Channel)

FEATURES -20V, -3.0A, RDS(ON) = 70mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90mW @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TSOP-6 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 120mW @VGS = -1.8V.

文件:523.34 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEH2637

P Channel MOSFET

CET

华瑞

CEH2637A

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (P Channel)

FEATURES -20V, -3.3A, RDS(ON) = 65mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 100mW @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TSOP-6 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 150mW @VGS = -1.8V.

文件:466.41 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEH2637A

P Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    -20/

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    70/

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    90/

  • Rds(on)mΩ@1.8V:

    120

  • ID(A):

    -3/

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    8/

  • RθJC(℃/W):

    110

  • Pd(W):

    1.14

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CEH2637供应商 更新时间2026-3-13 17:00:00