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CEFF634

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired.

文件:731.74 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEFF634

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:85.8 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CEFF634

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:412.79 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CEFF634

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    250

  • Rds(on)mΩ@10V:

    450

  • ID(A):

    8.1

  • Qg(nC)@10V(typ):

    18

  • RθJC(℃/W):

    3.3

  • Pd(W):

    38

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET
25+
DIP-14
18000
原厂直接发货进口原装
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CET
24+
5000
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CET/華瑞
2022+
TO-220F
50000
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TO-220F
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更多CEFF634供应商 更新时间2026-1-17 16:18:00