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CEF46N65SF	文件：526.46 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Fastreverserecoverytime. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB46N65S	文件：443.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEW46N65S	文件：446.11 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,46.7A,RDS(ON)=56mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEW46N65SF	文件：590.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorWithFastBodyDiode FEATURES 700V@TJmax,46A,RDS(ON)=58mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. Fastreverserecoverytime. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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更多CEF46N65SF供应商更新时间2025-7-14 10:30:00

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