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CEF05N6

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEF05N65

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired

文件:410.8 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CEF05N65

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:634.28 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEF05N65

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    650

  • RDS(on)mΩ@10V:

    2400.0

  • ID(A):

    5.0

  • Qg(nC)@10V(typ):

    10.0

  • RθJC(℃/W):

    3.6

  • PD(W):

    35.0

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET
24+
TO-220F
5000
全现原装公司现货
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CET/華瑞
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
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原厂代理 终端免费提供样品
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CET/華瑞
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-220F
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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更多CEF05N6供应商 更新时间2026-3-13 10:19:00