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CED4301	文件：415.28 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-40V,-20A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED4301	文件：415.28 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-40V,-20A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED4301	文件：631.68 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -40V,-20A,RDS(ON)=42mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM4301	文件：731.53 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-40V,-6A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET4301	文件：735.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-40V,-6.3A,RDS(ON)=44mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=68mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU4301	文件：415.28 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-40V,-20A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU4301	文件：631.68 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -40V,-20A,RDS(ON)=42mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM4301PAPT	文件：314.41 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM4301ZPT	文件：475.39 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE40VoltsCURRENT6.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-73/SOT-223) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplicat	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CST-4301E	文件：195.73 Kbytes Page：6 Pages	0.4InchTriadDigitsDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI

详细参数

型号：
CED4301
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳兆威电子有限公司	CED4301	CET	22+	TO-251	162204	原装正品现货,可开13个点税	询价
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更多CED4301供应商更新时间2025-7-24 15:50:00

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