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CED40N20	文件：531.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant 文件：531.53 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED40N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEU40N20	文件：531.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V, 40A, RDS(ON) = 32mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant 文件：531.53 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
FIR40N20FG	文件：4.93354 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.93354 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR40N20LG	文件：4.33433 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.33433 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

更多CED40N20供应商更新时间2025-12-4 14:02:00