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CED30N08	文件：503.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 80V, 30A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V. 文件：503.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED30N08	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEU30N08	文件：577.79 Kbytes Page：4 Pages	CED30N08 文件：577.79 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEU30N08	文件：503.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 80V, 30A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V. 文件：503.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
MTP30N08M	文件：265.55 Kbytes Page：7 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：265.55 Kbytes 页数：7 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

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