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CED11P20	文件：679.92 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. ComparabletoAEC-Q101.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU11P20	文件：679.92 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. ComparabletoAEC-Q101.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU11P20	文件：413.7 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36Ω@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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FEATURES -200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. ComparabletoAEC-Q101.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

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CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

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FEATURES ■-200V,-10.5A,RDS(ON)=0.36Ω@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市中联芯电子有限公司	CED12N10	VBsemi	24+	TO251	18000	原装正品有挂有货假一赔十	询价

更多CED11P20供应商更新时间2025-5-11 14:00:00

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