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SDF04N65	文件：1.03648 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDF04N65	文件：1.31298 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SDU04N65	文件：1.1635 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SDU04N65	文件：1.07623 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDUD04N65	文件：133.74 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SID04N65SL	文件：1.07582 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIK04N65SL	文件：558.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SK04N65B	文件：7.29352 Mbytes Page：8 Pages	650VN-chPlanarMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SK04N65B-TF	文件：1.94739 Mbytes Page：9 Pages	650VN-chPlanarMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SSD04N65	文件：1.07836 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
2800
ID(A)：
3.1
Qg(nC)@10V(typ)：
11
RθJC(℃/W)：
1.9
Pd(W)：
66
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CED04N7G	华瑞	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	CED04N7G	CET	23+	TO-251	2357	全新原装正品现货,支持订货	询价
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