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CECS20N65LN	文件：500.16 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 19A, RDS(ON) = 180mW @VGS = 10V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：500.16 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CECS20N65LN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
NCE20N65	文件：609.82 Kbytes Page：9 Pages	Super Junction MOSFET 文件：609.82 Kbytes 页数：9 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE20N65F	文件：609.82 Kbytes Page：9 Pages	Super Junction MOSFET 文件：609.82 Kbytes 页数：9 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE20N65T	文件：513.45 Kbytes Page：7 Pages	Super Junction MOSFET 文件：513.45 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
180
ID(A)：
19
Qg(nC)@10V(typ)：
31
RθJC(℃/W)：
0.75
Pd(W)：
167
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	CECS20N65LN	CET/華瑞	2511	DFN8*8	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多CECS20N65LN供应商更新时间2026-4-19 12:00:00

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