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CEB60N10	文件：97.78 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB60N10	文件：519.679 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,57A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB60N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP60N10	文件：97.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP60N10	文件：1.22981 Mbytes Page：5 Pages	60A,100VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220C	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CEP60N10	文件：1.17058 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

技术参数

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
24
ID(A)：
57
Qg(nC)@10V(typ)：
64
RθJC(℃/W)：
0.75
Pd(W)：
200
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	CEB60N10	CET/華瑞	24+	TO-263	499596	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB60N10	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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