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CEB51A3中文资料N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor数据手册CET规格书

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厂商型号

CEB51A3

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

制造商

CET Chino-Excel Technology

中文名称

华瑞 华瑞股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-12-22 23:01:00

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CEB51A3规格书详情

描述 Description

FEATURES
■ 30V, 48A, RDS(ON) =16.5mΩ @VGS = 10V.
                 RDS(ON) =28mΩ @VGS = 4.5V.
■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
■ High power and current handing capability.
■ Lead free product is acquired.
■ TO-220 & TO-263 package.

特性 Features

■ 30V, 48A, RDS(ON) =16.5mΩ @VGS = 10V.
                 RDS(ON) =28mΩ @VGS = 4.5V.
■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
■ High power and current handing capability.
■ Lead free product is acquired.
■ TO-220 & TO-263 package. 

技术参数

  • 型号:

    CEB51A3

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全称:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
24+
NA/
4788
原装现货,当天可交货,原型号开票
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24+
BGA276
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