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CEB35P10	文件：400.71 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-100V,-32A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=92mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
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详细参数

型号：
CEB35P10
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多CEB35P10供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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