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CEB140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB140N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP140N10	文件：388.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,137A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP140N10	文件：1.63854 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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