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CEB1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：362.71 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB1185	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CED1185	文件：651.5 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：651.5 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CED1185	文件：661.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 800V, 3.4A, RDS(ON) = 2.9 W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：661.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：362.71 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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