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CEB04N7G	文件：424.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB04N7G	文件：647.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB04N7G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED04N7G	文件：613.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V,3.5A,RDS(ON)=3.3W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED04N7G	文件：399.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■700V,3.5A,RDS(ON)=3.3Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF04N7	文件：132.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CEI04N7	文件：132.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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技术参数

BVDSS(V)：
700
Rds(on)mΩ@10V：
3300
ID(A)：
4
Qg(nC)@10V(typ)：
14
RθJC(℃/W)：
1.5
Pd(W)：
84
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	CEB04N7G	CET/華瑞	25+	TS-263	156791	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB04N7G	CET	22+	TO-263	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB04N7G	CET	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB04N7G	CET	22+	TO-263	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CEB04N7G	CET	25+	TO-263	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	CEB05P03	CET	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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