CE3512K2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
CE3512K2 |
| 参数属性 | CE3512K2 封装/外壳为4-Micro-X；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
| 功能描述 | Small Signal GaAs FETs |
| 封装外壳 | 4-Micro-X |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 15:01:00 |
| 人工找货 | CE3512K2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CE3512K2规格书详情
描述 Description
Super Low Noise FET
简介
CE3512K2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的CE3512K2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：CE3512K2
- 生产厂家
：CEL
- (GHz)
：12
- VDS (V)
：2.0
- IDS (mA)
：10
- (dB)
：13.7
- Code
：K2
- Descr-iption
：Micro-X Plastic
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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