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CDW30G120D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC SBD 碳化硅二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）与Si二极管相比，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的热稳定性，且反向恢复特性不受温度影响。\r\n\r\n碳化硅二极管结合了肖特基结构所拥有的出色的开关特性和PiN结构所拥有的低漏电流的特点	CoolSemi 功成半导体	CoolSemi
CDZT2R5.1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD723	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

IF(A)：
39
VF(V)TJ =25℃(Typ)：
1.55
IR (μA)TJ =25℃(Typ)：
5
IFSM (A)：
137
Package：
TO-247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CDW30G120D1供应商更新时间2025-11-25 16:49:00

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