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PCDP20120G1	文件：1.80448 Mbytes Page：5 Pages	Marking：CDP20120G1；Package：TO-220AC；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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PCDP20120G1

文件：1.80448 Mbytes

Page：5 Pages

Marking：CDP20120G1；Package：TO-220AC；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

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更多CDP20120G1供应商更新时间2020-6-4 9:34:00

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