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CDH08G065D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC SBD 碳化硅二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）与Si二极管相比，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的热稳定性，且反向恢复特性不受温度影响。\r\n\r\n碳化硅二极管结合了肖特基结构所拥有的出色的开关特性和PiN结构所拥有的低漏电流的特点	CoolSemi 功成半导体	CoolSemi
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技术参数

IF(A)：
11
VF(V)TJ =25℃(Typ)：
1.4
IR (μA)TJ =25℃(Typ)：
1
IFSM (A)：
72
Package：
TO-220-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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