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CEH2351	文件：601.93 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -150V,-1.45A,RDS(ON)=720mW@VGS=-10V. RDS(ON)=750mW@VGS=-6V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZC2351	文件：955.34 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -150V,-4.2A,RDS(ON)=680mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=740mW@VGS=-6V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
HCMS-2351	文件：83.3 Kbytes Page：6 Pages	CMOSExtendedTemperatureRange5x7AlphanumericDisplay Description Thissunlightviewable5x7LEDfour-characterdisplayiscontainedin12pindual-in-linepackagesdesignedfordisplayingalphanumericinformation.Thedisplayisdesignedwithon-boardCMOSintegratedcircuits.TwoCMOSICsformanon-board28-bitserial-in/parallel-outshiftregi	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
IID2351	文件：35.48 Kbytes Page：2 Pages	T-1,3mmRound	idea IDEA.lnc.	idea

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