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NCE0130A	文件：350.52 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0130Ausesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=30A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0130G	文件：384.44 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0130GA	文件：369.82 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0130GAusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Application ●Powerswitchingapplication ●Hardswitchedandhighfrequencycircuits ●Uninterruptiblepowersupply	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0130K	文件：416.16 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0130K	文件：984.22 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE0130KA	文件：460.84 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0130KA	文件：984.18 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCEA0130AG	文件：764.05 Kbytes Page：6 Pages	NCEAutomotiveN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCEA0130AGusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Application ●Automotiveapplication ●Powerswitchingapplication ●Hardswitchedandhighfrequencycircuits ●Un	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NSR0130	文件：114.7 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES •ExtremelyFastSwitchingSpeed •ExtremelyLowForwardVoltage0.385V(max)@IF=10mA •LowReverseCurrent •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOD-923,Plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 •AppoxWeight:0.0004gram	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
NSR0130	文件：41.56 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
CDBU0130R
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-SMD，无引线
供应商器件封装：
0603C/SOD-523F
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

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