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ENA1150	文件：170.52 Kbytes Page：8 Pages	CMOSIC2-CellLithium-IonSecondaryBatteryProtectionIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
F1150	文件：1.66081 Mbytes Page：18 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1150	文件：4.54828 Mbytes Page：22 Pages	ThisdocumentdescribesthespecificationsfortheIDTF1178Zero-DistortionTMRFtoIFDownconvertingDualMixer. GENERALDESCRIPTION Thisdocumentdescribesthespecificationsforthe IDTF1178Zero-DistortionTMRFtoIFDownconverting DualMixer.Thisdeviceispartofaseriesofmixers offeredwithhighsideand/orlowsideinjectionoptions forallUTRAbands.SeethePart#Matrixforpin compatible	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1150	文件：3.55302 Mbytes Page：27 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer FEATURES •DualPathforDiversitySystems •IdealforMulti-CarrierSystems •8.9dBGain •Ultralinear+43dBmIP3O •LowNF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1150	文件：1.65894 Mbytes Page：18 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer FEATURES •DualPathforDiversitySystems •IdealforMulti-CarrierSystems •MIMOfriendly:-6dBmminLOdrive •9dBGain •Ultralinear:+41dBmIP3O(350MHzIF) •LowNF~10dB •200@outputimpedance •Ultrahigh+13dBmP1dBI •PinCompatiblew/Existingsolutions •6x636pinp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1150	文件：2.76042 Mbytes Page：21 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer FEATURES •DualPathforDiversitySystems •IdealforMulti-CarrierSystems •8.5dBGain •Ultralinear+43dBmIP3O •LowNF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1150NBGI	文件：1.64167 Mbytes Page：26 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
FCS-1150	文件：570.82 Kbytes Page：4 Pages	12xOpticalZoom,WDR	LVL1 Level One	LVL1
FCS-1150	文件：494 Kbytes Page：4 Pages	ZoomIPNetworkCamera,3-Megapixel	LVL1 Level One	LVL1
FDR1150F	文件：276.78 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage20to200VForwardCurrent1.0A	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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产品属性

产品编号：
CDBMS1150-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-123F
供应商器件封装：
SOD-123F
工作温度 - 结：
-50°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F

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