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CD4011BM96E4	文件：1.0201 Mbytes Page：23 Pages	丝印：CD4011BM；Package：SOIC；CMOS NAND GATES Features: Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL =50 pF, Vpp = 10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics Maximum input current of 1 uA at 18 V over full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C = 100% tested for quiescent curre 文件：1.0201 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BME4	文件：1.0201 Mbytes Page：23 Pages	丝印：CD4011BM；Package：SOIC；CMOS NAND GATES Features: Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL =50 pF, Vpp = 10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics Maximum input current of 1 uA at 18 V over full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C = 100% tested for quiescent curre 文件：1.0201 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BMT	文件：1.0201 Mbytes Page：23 Pages	丝印：CD4011BM；Package：SOIC；CMOS NAND GATES Features: Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL =50 pF, Vpp = 10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics Maximum input current of 1 uA at 18 V over full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C = 100% tested for quiescent curre 文件：1.0201 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BMS	文件：369.61 Kbytes Page：9 Pages	CMOS NAND Gates Features • High-Voltage Types (20V Rating) • Propagation Delay Time = 60ns (typ.) at CL = 50pF, VDD = 10V • Buffered Inputs and Outputs • Standardized Symmetrical Output Characteristics • Maximum Input Current of 1A at 18V Over Full PackageTemperature Range; 100nA at 18V and +25oC • 100 Te 文件：369.61 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
CD4011BMS	文件：109.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS NAND Gates Description CD4011BMS, CD4012BMS, and CD4023BMS NAND gates provide the system designer with direct implementation of the NAND function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered. CD4011BMS - Quad 2 Input CD4012BMS - Dual 4 Input CD4023BMS - Triple 3 I 文件：109.33 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
CD4011BM96	文件：523.01 Kbytes Page：12 Pages	The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages 文件：523.01 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BM96	文件：525.82 Kbytes Page：13 Pages	CMOS NAND GATES 文件：525.82 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BM96	文件：1.29026 Mbytes Page：20 Pages	CMOS NAND GATES 文件：1.29026 Mbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BM96	文件：1.18484 Mbytes Page：19 Pages	CMOS NAND GATES 文件：1.18484 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
CD4011BM96E4	文件：525.82 Kbytes Page：13 Pages	CMOS NAND GATES 文件：525.82 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

替换型号

产品属性

产品编号：
CD4011BM
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
4000B
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
逻辑类型：
与非门
输入数：
2
电压 - 供电：
3V ~ 18V
电流 - 输出高、低：
3.4mA，3.4mA
逻辑电平 - 低：
1.5V ~ 4V
逻辑电平 - 高：
3.5V ~ 11V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
90ns @ 15V，50pF
工作温度：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
14-SOIC
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

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