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CHDTA115TUPT	文件：69.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115EEPT	文件：89.83 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT20mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-75/SOT-416) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbia	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115EKPT	文件：75.59 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT20mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbia	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115EUPT	文件：102.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT20mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbia	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115GKPT	文件：71.91 Kbytes Page：2 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinbi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115TEPT	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-75/SOT-416) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinsi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115TMPT	文件：81.27 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-723) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinsingler	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC115TUPT	文件：70.7 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedNPNtransistorsinonepackage. *Builtinsi	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJD115	文件：105.37 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CJD115PNP	文件：105.37 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

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产品属性

产品编号：
CCR115RKB
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
CCR, CGS
包装：
卷带（TR）
容差：
±10%
功率 (W)：
1W
成分：
陶瓷
特性：
脉冲耐受
温度系数：
±1300ppm/°C
工作温度：
-40°C ~ 200°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.217" 直径 x 0.650" 长（5.50mm x 16.50mm）
描述：
RES 15 OHM 10% 1W AXIAL

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更多CCR115RKB供应商更新时间2025-5-29 15:01:00

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