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CBM201209U152T

叠层片式铁氧体超大电流磁珠(CBM)

Fenghua

风华高科

FB201209U152

EMI SOLOTION PRODUCTS-RoHS

文件:64.47 Kbytes 页数:3 Pages

FENGJUI

峰瑞科技

FBA201209U152

MULTILAYER CHIP BEAD

●FEATURE 1. Small size chips generating high impedance 2. High reliability due to an entirely monolithic structure 3. Low DC resistance structure of electrode prevents wasteful electric power consumption 4. Suppress EMI/RFI and to prevent self-oscillation in electronic products ●APPLICATION

文件:167.9 Kbytes 页数:3 Pages

AITSEMI

创瑞科技

SGMB201209U152

MULTILAYER FERRITE CHIP BEADS

文件:1.12807 Mbytes 页数:6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

技术参数

  • L (mm):

    2.0±0.20

  • W (mm):

    1.2±0.20

  • T (mm):

    0.9±0.20

  • 标称阻抗(Ω):

    1500

  • 直流电阻RDC(Ω)max:

    0.3

  • 测试频率(MHz):

    100

  • 测试电压(mV):

    50

  • 偏差范围:

    ±25%

  • 额定电流(A):

    0.8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CBM201209U152T供应商 更新时间2025-10-14 9:08:00