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CBG201209U151T

叠层片式铁氧体磁珠(CBG)

Fenghua

风华高科

FB201209U151

EMI SOLOTION PRODUCTS-RoHS

文件:64.47 Kbytes 页数:3 Pages

FENGJUI

峰瑞科技

FBA201209U151

MULTILAYER CHIP BEAD

●FEATURE 1. Small size chips generating high impedance 2. High reliability due to an entirely monolithic structure 3. Low DC resistance structure of electrode prevents wasteful electric power consumption 4. Suppress EMI/RFI and to prevent self-oscillation in electronic products ●APPLICATION

文件:167.9 Kbytes 页数:3 Pages

AITSEMI

创瑞科技

TI201209U151

SMD MULTILAYER FERRITE CHIP BEADS (HIGH CURRENT)

文件:131.83 Kbytes 页数:2 Pages

FRONTIER

技术参数

  • L (mm):

    2.0±0.20

  • W (mm):

    1.2±0.20

  • T (mm):

    0.9±0.20

  • 标称阻抗(Ω):

    150

  • 直流电阻RDC(Ω)max:

    0.18

  • 测试频率(MHz):

    100

  • 测试电压(mV):

    50

  • 偏差范围:

    ±25%

  • 额定电流(A):

    700

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
风华高科
2447
SMD
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FH/风华高科
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FH/风华高科
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FH/风华高科
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SMD0805
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SMD
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4000
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更多CBG201209U151T供应商 更新时间2025-11-4 15:01:00