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CBG100505U121T	文件：300 bytes Page：1 Pages	叠层片式铁氧体磁珠(CBG)	Fenghua 风华高科	Fenghua
FB100505U121	文件：64.47 Kbytes Page：3 Pages	EMI SOLOTION PRODUCTS-RoHS 文件：64.47 Kbytes 页数：3 Pages	FENGJUI 峰瑞科技	FENGJUI
FB100505U121	文件：126.98 Kbytes Page：2 Pages	SMD MULTILAYER FERRITE CHIP BEADS 文件：126.98 Kbytes 页数：2 Pages	FRONTIER	FRONTIER
FBA100505U121	文件：167.9 Kbytes Page：3 Pages	MULTILAYER CHIP BEAD ●FEATURE 1. Small size chips generating high impedance 2. High reliability due to an entirely monolithic structure 3. Low DC resistance structure of electrode prevents wasteful electric power consumption 4. Suppress EMI/RFI and to prevent self-oscillation in electronic products ●APPLICATION 文件：167.9 Kbytes 页数：3 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI

技术参数

L (mm)：
1.0±0.15
W (mm)：
0.5±0.15
T (mm)：
0.5±0.15
标称阻抗（Ω）：
120
直流电阻RDC（Ω）max：
0.5
测试频率(MHz)：
100
测试电压（mV）：
50
偏差范围：
±25%
额定电流(A)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CBG100505U121T供应商更新时间2025-11-9 16:04:00

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