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BC68-25PA	文件：1.18878 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC68-25PA	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68-25PA-Q	文件：247.28 Kbytes Page：13 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •Qualifiedaccor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68-25PAS	文件：3.0544 Mbytes Page：13 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcollectorcurrentcapability ICandICM Twocurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalconduc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC68-25PAS	文件：762.73 Kbytes Page：14 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP68-25	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPNmediumpowertransistor20V,1A	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP68-25	文件：1.18878 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP68-25	文件：811.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BCP68-25	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP68-25	文件：45.14 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistor DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:BCP69. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationunderhigh currentconditions.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP68-25	文件：43.47 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SuitableforAFdriversandoutputstages HighcollectorcurrentandLowVCE(sat) COMPLEMENTARYTYPE-BCP69 PARTMARKINGDETAIL-BCP68 BCP68-25	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCP68-25	文件：43.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFTransistor NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP68-25	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPNmediumpowertransistor;20V,1A Generaldescription NPNmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP68-25	文件：518.53 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistor NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP68-25	文件：136.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplication ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCP68-25-Q	文件：244.09 Kbytes Page：12 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Qualifiedaccordin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX68-25	文件：144.87 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrent) NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCX69(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCX68-25	文件：523.789 Kbytes Page：7 Pages	ForgeneralAFapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCX68-25	文件：16.76 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES *Highgainandlowsaturationvoltages COMPLEMENTARYTYPE–BCX69 PARTMARKINGDETAIL– BCX68–CE BCX68-16–CC BCX68-25–CD	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCX68-25	文件：45.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BCX69(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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更多CBCX68-25供应商更新时间2024-5-30 14:00:00

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