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CAT28F512LI12	文件：107.82 Kbytes Page：16 Pages	512K-Bit CMOS Flash Memory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512LI15	文件：107.82 Kbytes Page：16 Pages	512K-Bit CMOS Flash Memory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512LI90	文件：107.82 Kbytes Page：16 Pages	512K-Bit CMOS Flash Memory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512LI-12T	文件：428.32 Kbytes Page：15 Pages	512K-Bit CMOS Flash Memory	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT28F512LI-15T	文件：428.32 Kbytes Page：15 Pages	512K-Bit CMOS Flash Memory	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT28F512LI-90T	文件：428.32 Kbytes Page：15 Pages	512K-Bit CMOS Flash Memory	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT28F512LI12	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：32-DIP（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512LI90	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：32-DIP（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
28F512	文件：1.81909 Mbytes Page：30 Pages	512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
AM28F512	文件：484.31 Kbytes Page：35 Pages	512Kilobit(64Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm28F512isa512KbitFlashmemoryorganizedas64Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F512ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedtobe	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
AM28F512A	文件：463.73 Kbytes Page：34 Pages	512Kilobit(64Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemorywithEmbeddedAlgorithms GENERALDESCRIPTION TheAm28F512Aisa512KbitFlashmemoryorganizedas64Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F512Aispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedtob	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司	AMD
AN28F512	文件：1.4206 Mbytes Page：24 Pages	512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY 512K(64Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
CAT28F512	文件：428.32 Kbytes Page：15 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT28F512	文件：107.82 Kbytes Page：16 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT28F512	文件：97.22 Kbytes Page：14 Pages	512K-BitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F512isahighspeed64Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. ItispinandReadt	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
M28F512	文件：523.409 Kbytes Page：20 Pages	512Kbit(64Kbx8BulkErase)FlasxhMemory DESCRIPTION TheM28F512FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthechiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas64Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocessorint	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TMS28F512A	文件：311.1 Kbytes Page：21 Pages	65536BY8-BITFLASHMEMORY	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

产品属性

产品编号：
CAT28F512LI12
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存
存储容量：
512Kb（64K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
120ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
32-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
32-PDIP
描述：
IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP

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