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NDB7051L	文件：344.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=67A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP7051	文件：360.12 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP7051	文件：295.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP7051L	文件：360.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP7051L	文件：295.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=67A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NJU7051	文件：164.02 Kbytes Page：4 Pages	LOWINPUTOFFSETVOLTAGEC-MOSOPERATIONALAMPLIFIER??????	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
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NTE7051	文件：20.48 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuit1WBTLMonoAudioAmplifier Description: TheNTE7051isamonooutputamplifierina8–LeadDIPstyleplasticpackagedesignedforuseinbattery–fedportableaudioapplications,suchastaperecordersandradios.ThisdeviceusestheBridge–Tied–Loadprinciple(BTL)whichcandeliveranoutputpowerof1.2W(THD=10)in	NTE NTE Electronics	NTE

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产品属性

产品编号：
C7051SABR
制造商：
Bulgin
类别：
开关 > 按钮开关
系列：
7000
包装：
散装
安装类型：
面板安装，卡入式
类型：
标准
电路：
DPST-NO
开关功能：
关-瞬时
额定电流（安培）：
16A（AC）
致动器类型：
矩形，按钮
致动器标志：
无标志
颜色 - 致动器/盖帽：
红色
端接样式：
快速连接 - 0.250"（6.3mm）
侵入防护：
IP40
面板开口尺寸：
矩形 - 27.30mm x 22.40mm
描述：
DPST PUSH SQUARE BUTTON RED

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