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C4D02120A | Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：550.65 Kbytes 页数：5 Pages | CREE 科锐 | CREE | |
C4D02120A | 4th Generation 1200 V, 2 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.28006 Mbytes 页数：9 Pages | WOLFSPEED | WOLFSPEED | |
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：732.57 Kbytes 页数：6 Pages | CREE 科锐 | CREE | ||
C4D02120A | Package：TO-220-2；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220-2 | WOLFSPEED | WOLFSPEED |
产品属性
- 产品编号：
C4D02120A
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Z-Rec®
- 包装：
管件
- 二极管类型：
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
10A
- 速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
167pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-2
- 供应商器件封装：
TO-220-2
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CREE全系列可接受订货 |
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