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C3M0120065J	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs; • Low On-State Resistance over Temperature\n• Low Parasitic Capacitances\n• Fast Diode with ultra low reverse recovery\n• High Temperature Operation (TJ = 175°C)\n• Kelvin Source Pin\n• Industry Standard Through-Hole & SMT Packages\n; Low On-State Resistance over TemperatureLow Parasitic CapacitancesFast Diode with ultra low reverse recoveryHigh Temperature Operation (TJ = 175°C)Kelvin Source PinIndustry Standard Through-Hole & SMT Packages	Wolfspeed(CREE) WOLFSPEED, INC.	Wolfspeed(CREE)
C3M0120065J	文件：1.14795 Mbytes Page：11 Pages	丝印：C3M0120065J；Package：TO-263-7；Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features •3rdGenerationSiCMOSFETtechnology •Lowinductancepackagewithdriversourcepin •7mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •Highspeedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qr	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0120065J	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOS;	ChipNobochipnobo Microelectronics Co., Ltd. 无边界无边界微电子有限公司	ChipNobo
C3M0120065J	文件：1.14864 Mbytes Page：11 Pages	丝印：C3M0120065J；Package：TO-263-7；Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C3M0120065K	文件：1.04703 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •C3MTMSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •8mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0120065K	文件：1.0479 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnology	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C3M0120065L	文件：898.5 Kbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant TypicalApp	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0120065L-TR	文件：898.5 Kbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant TypicalApp	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

技术参数

Request Sample：
Request Sample
Blocking Voltage：
650 V
RDS(ON) at 25°C：
120 mΩ
Generation：
Gen 3
Current Rating：
21 A
Gate charge total：
26 nC
Output Capacitance：
45 pF
Total Power Dissipation (PTOT)：
86 W
Maximum junction temperature：
175 °C
Package：
TO-263-7
Qualification：
Industrial
Recommended for New Design?：
Yes

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更多C3M0120065J供应商更新时间2025-7-30 8:08:00

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