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C3M0120065D	文件：929.18 Kbytes Page：11 Pages	Marking：C3M0120065D；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features •3rdGenerationSiCMOSFETtechnology •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •Highspeedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant Benefits •Highersystemefficiency •Reducedcoolingrequiremen	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0120065D	文件：930.07 Kbytes Page：11 Pages	Marking：C3M0120065D；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C3M0120065J	文件：1.14795 Mbytes Page：11 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdGenerationSiCMOSFETtechnology •Lowinductancepackagewithdriversourcepin •7mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •Highspeedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qr	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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C3M0120065K	文件：1.04703 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •C3MTMSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •8mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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更多C3M0120065D供应商更新时间2024-11-28 16:20:00

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