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C3M0040120D	文件：858.12 Kbytes Page：11 Pages	Marking：C3M0040120D；Package：TO247-3；Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery(Qrr) •Halogenfree,RoHScompliant Benefits •Reduceswitchinglossesandminimizegateringing •H	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0040120D	文件：416.16 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Highblockingvoltagewithlowon-resistance ·High-speedswitchingwithlowcapacitances ·Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery APPLICATIONS ·Solarinverters ·HighvoltageDC/DCconverters ·Switchedmodepowersupplies ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C3M0040120D	文件：858.99 Kbytes Page：11 Pages	Marking：TO247-3；Package：C3M0040120D；Silicon Carbide Power MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C3M0040120K	文件：1.02005 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •8mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C3M0040120K	文件：1.02091 Mbytes Page：12 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC3MTMMOSFETTechnology	CreeCree, Inc 科锐	Cree
E3M0040120K	文件：1.20076 Mbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETE-SeriesAutomotiveN-ChannelEnhancementMode Features •3rdgenerationSiCMOSFETtechnology •Optimizedpackagewithseparatedriversourcepin •8mmofcreepagedistancebetweendrainandsource •Highblockingvoltagewithlowon-resistance •High-speedswitchingwithlowcapacitances •Fastintrinsicdiodewithlowreverserecovery	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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更多C3M0040120D供应商更新时间2024-11-28 16:20:00

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