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C3D06060	文件：783.03 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：783.03 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D06060F	文件：816.11 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C3D06060；Package：TO-220-F2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier (Full-Pak) Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF • Fully Isolated Case Benefits • Replace Bipo 文件：816.11 Kbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D06060G	文件：1.033589 Mbytes Page：6 Pages	丝印：C3D06060；Package：TO-263-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF Benefits • Replace Bipolar with Unipolar Recti 文件：1.033589 Mbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D06060A	文件：363.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode FEATURES · High-Frequency Operation · 600V Schottky Rectifier · Positive Temperature Coefficient on VF · No Reverse Recovery MECHANICAL CHARACTERISTICS · Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers · Higher Efficiency · Parallel Devices Without Thermal Runaway 文件：363.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
C3D06060A	文件：1.11753 Mbytes Page：8 Pages	C3D06060A Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.11753 Mbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D06060A	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D06060A	文件：739.43 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier 600-Volt Schottky Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：739.43 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
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技术参数

Current Rating：
6 A
Package：
TO-220-2
Technology：
C3D
Maximum Continuous Current (IF)：
8.5 A @ 135°C
Total Capacitive Charge (QC (typ))：
16 nC
Total Power Dissipation (PTOT)：
79 W @ 25°C
dV/dt Ruggedness：
200 V/ns
Lead-frame materials：
100% matte tin solder finish over a copper lead-frame

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多C3D06060供应商更新时间2025-12-14 23:18:00

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