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C3D04060A	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	CREE 科锐	CREE
C3D04060A	文件：1.43272 Mbytes Page：8 Pages	3rd Generation 600 V, 4 A Silicon Carbide Schottky Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.43272 Mbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D04060E	文件：1.10793 Mbytes Page：6 Pages	丝印：C3D04060；Package：TO-252-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Optimized for PFC Boost Diode Application • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF Be 文件：1.10793 Mbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D04060E	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	CREE 科锐	CREE
C3D04060F	文件：885.46 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C3D04060；Package：TO-220-F2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier (Full-Pak) Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF • Fully Isolated Case Benefits • Replace Bipo 文件：885.46 Kbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D04060F	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	CREE 科锐	CREE
C3D04065A	文件：595.63 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：595.63 Kbytes 页数：6 Pages	CREE 科锐	CREE
C3D04065A	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	CREE 科锐	CREE
C3D04065A	文件：1.67897 Mbytes Page：9 Pages	3rd Generation 650 V, 4 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.67897 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D04065E	文件：1.11127 Mbytes Page：6 Pages	丝印：C3D04065；Package：TO-252-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier Features • 650-Volt Schottky Rectifier • Optimized for PFC Boost Diode Application • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF Be 文件：1.11127 Mbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED

产品属性

产品编号：
C3D04065A
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Z-Rec®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
13.5A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
251pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2

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