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C3D02060E	文件：1.15613 Mbytes Page：6 Pages	丝印：C3D02060；Package：TO-252-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Optimized for PFC Boost Diode Application • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF Be 文件：1.15613 Mbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D02060F	文件：923.63 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C3D02060；Package：TO-220-F2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier (Full-Pak) Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Optimized for PFC Boost Diode Application • Zero Forward and Reverse Recovery • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF • Fully Isolated Case Benefits 文件：923.63 Kbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D02060A	文件：1.64309 Mbytes Page：9 Pages	3rd Generation 600 V, 2 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.64309 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D02060A	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D02060E	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D02060F	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D02060A_13	文件：937.05 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：937.05 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D02060E_13	文件：877.17 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：877.17 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D02060F_13	文件：742.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：742.65 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D02060A	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅肖特基二极管开关损耗降低，可实现高速开关。低电容，高频开关，高温环境工作\n更高电流下经过优化的开关行为\n具有低反向恢复电荷的整流稳健快速体二极管\n出色的热性能\n更高的雪崩耐量\n适应多种标准驱动程序\n3/4/7 引脚封装;	GDSICSEMI 广大碳基	GDSICSEMI

产品属性

产品编号：
C3D02060E
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Z-Rec®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
5A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
120pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO252-2

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