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K3199	文件：49.03 Kbytes Page：2 Pages	Externaldimensions Sanken/MOSFET(2SK1177thru2SK3460)	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
KTC3199	文件：2.9019 Mbytes Page：5 Pages	TO-92SPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●ComplementarytoKTA1267	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTC3199	文件：2.061489 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features HighDCcurrentgain,excellenthFElinearity,lownoise,complementarytoKTA1267. Applications Generalamplifierandswitchingapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC3199	文件：137.88 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:400mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
KTC3199	文件：334.6 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighDCCurrentGain:hFE=70~700. •ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). •ComplementarytoKTA1267.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3199-BL	文件：460.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeApplication	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KTC3199-BL	文件：330.13 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeApplication Features •HighDCCurrentGain:hFE=70~700 •ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ) •LowNoise:NF=1.0dB(Typ.),10dB(Max.) •ComplementarytoKTA1267 •Marking:C3199 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSComp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KTC3199-GR	文件：460.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeApplication	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KTC3199-GR	文件：330.13 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeApplication Features •HighDCCurrentGain:hFE=70~700 •ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ) •LowNoise:NF=1.0dB(Typ.),10dB(Max.) •ComplementarytoKTA1267 •Marking:C3199 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSComp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KTC3199L	文件：121.45 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWNOISEAUDIOAMPLIFIER) LOWNOISEAUDIOAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES •HighDCCurrentGain:hFE=70ᴕ700. •ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). •LowNoise:NF=0.2dB(Typ.),3dB(Max.). •ComplementarytoKTA1267L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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