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C30956EH	文件：300 bytes Page：1 Pages	1064nm长波长增强型硅APD; • 感光面积：7 mm²\n\n• 感光直径：3 mm\n\n• 击穿电压：>325, 400, <500 V\n\n• 结电容：2.4 pF\n\n• 暗电流：100 nA\n\n• 增益：75\n\n• 噪声电流：1.1pA/√Hz\n\n• 封装：TO-8\n\n• 峰值灵敏度波长：900 nm\n\n• 响应度：• 在900 nm为45 A/W\n\n• 1050nm处为25A/W\n\n• 1150 nm处为3.5A/W\n\n• 上升/下降时间：2 ns\n\n• 温度系数：2.4V/°C\n\n• 工作电压范围：275-450 V\n\n• 波长：400-1100nm; 功能与优点：\n\n感光直径：3 mm\n\n1060 nm波长处具有高量子效率\n\n快速响应时间\n\n较宽的工作温度范围\n\n低结电容\n\n密封封装\n\n符合RoHS标准\n\n提供TEC选项\n\n应用领域：\n\n测距\n\nLiDAR\n\nYAG激光探测\n\n\n\n	ExcelitasExcelitas Technologies 埃赛力达	Excelitas
C30956EH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-8；包装：散装类别：传感器，变送器光学传感器 - 光电二极管描述：SI APD3MM, TO-8, 1064NM ENHANCED	ExcelitasExcelitas Technologies 埃赛力达	Excelitas
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C30956EH

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1064nm长波长增强型硅APD; • 感光面积：7 mm²\n\n• 感光直径：3 mm\n\n• 击穿电压：>325, 400, <500 V\n\n• 结电容：2.4 pF\n\n• 暗电流：100 nA\n\n• 增益：75\n\n• 噪声电流：1.1pA/√Hz\n\n• 封装：TO-8\n\n• 峰值灵敏度波长：900 nm\n\n• 响应度：• 在900 nm为45 A/W\n\n• 1050nm处为25A/W\n\n• 1150 nm处为3.5A/W\n\n• 上升/下降时间：2 ns\n\n• 温度系数：2.4V/°C\n\n• 工作电压范围：275-450 V\n\n• 波长：400-1100nm;

功能与优点：\n\n感光直径：3 mm\n\n1060 nm波长处具有高量子效率\n\n快速响应时间\n\n较宽的工作温度范围\n\n低结电容\n\n密封封装\n\n符合RoHS标准\n\n提供TEC选项\n\n应用领域：\n\n测距\n\nLiDAR\n\nYAG激光探测\n\n\n\n

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埃赛力达

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Package：TO-8；包装：散装类别：传感器，变送器光学传感器 - 光电二极管描述：SI APD3MM, TO-8, 1064NM ENHANCED

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埃赛力达

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产品属性

产品编号：
C30956EH
制造商：
Excelitas Technologies
类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
系列：
C30956
包装：
散装
波长：
900nm
频谱范围：
400nm ~ 1100nm
二极管类型：
雪崩
不同 nm 时响应度：
45 A/W @ 900nm
响应时间：
2ns
电流 - 暗（典型值）：
200nA
有效面积：
7mm²
工作温度：
-40°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-8
描述：
SI APD3MM, TO-8, 1064NM ENHANCED

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更多C30956EH供应商更新时间2025-7-28 11:06:00

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