Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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PerkinElmer

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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PerkinElmer

APD四象限探测器

C30927EH-01的象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。\n\nC30927EH-01为在1064 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。\n\n主要功能与优点：\n\n大于90º的光敏面感应区完全覆盖的全发散角\n\n针对YAG波长而优化的高量子效率\n\n快速响应时间\n\n大感光面积：1.77 mm2\n\n密封薄型TO-8封装\n\n • 击穿电压范围(V)：350至485\n• 典型击穿电压(V)：425\n• 典型增益(M)：100\n• 恒定增益的典型温度系数(V/℃)：2.4\n• 在1060 nm处的最低响应度(A/W)：12\n• 在1060 nm处的典型响应度(A/W)：15\n• 典型总暗电流(nA)：100\n• 最大总暗电流(nA)：200\n• 每个象限单元的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.0\n• 每个象限单元的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.5\n• 所有象限的典型总电容(pF)：3\n• 所有象限的最大总电容(pF)：5\n• 最大串联电阻(Ω)：15\n• 典型上升和下降时间(ns)：3• ;

Excelitas

埃赛力达

APD四象限探测器

象限雪崩光电二极管适用于广泛的跟踪和定位应用。\n\n主要特性：\n\n大于90º的光敏面感应区完全覆盖的全发散角\n\n针对在800 nm处的工作进行了优化的高量子效率\n\n快速响应时间\n\n大感光面积：1.77 mm²\n\n密封薄型TO-8封装\n\n应用领域：\n\n跟踪\n\n对准\n\n“敌友”识别 • 击穿电压范围(V)：350至485• 典型击穿电压(V)：425• 典型增益(M)：100• 恒定增益的典型温度系数(V/℃)：2.4• 在800 nm处的最低响应度(A/W)：45• 在800 nm处的典型响应度(A/W)：55• 典型总暗电流(nA)：100• 最大总暗电流(nA)：200• 每个象限单元的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.0• 每个象限单元的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.5• 所有象限的典型总电容(pF)：3• 所有象限的最大总电容(pF)：5• 最大串联电阻(Ω)：15• 典型上升和下降时间(ns)：3• 储存温度(℃)：-60至120• 工作温度(℃)：-40;

Excelitas

埃赛力达