高性能Si APD

埃赛力达C30916EH是一种通用硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透式”结构制成。这种结构能够在400至1000nm之间提供高响应度，并能在所有波长下实现极快的上升和下降。\n\n功能与优点：\n\n低噪声\n\n高增益\n\n高量子效率\n\n内置热电致冷选项\n\n应用领域：\n\n激光测距\n\nLiDAR\n\n自由空间通信\n\n分光光度计\n\n荧光探测 • 感光面积：1.7 mm²\n• 感光直径：1.5 mm\n• 击穿电压：>315, 390, <490 V\n• 电容：3pF\n• 暗电流：100 nA\n• 增益：80\n• NEP：20 fW/√Hz\n• 封装：TO-5\n• 峰值灵敏度波长：900 nm\n• 响应度：在900 nm处为>50 A/W，在1060 nm处为12 A/W\n• 上升/下降时间：3 ns;

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埃赛力达

Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

[EG&G CANADA LTD.] Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

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