C30659-900-R5BH数据手册传感器变送器的光学传感器-光电二极管规格书PDF

描述 Description

埃赛力达C30659系列采用反相放大器设计，带作为输出缓冲级的射极跟随器。

这些模块中Si APD与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中的相同，而InGaAs APD与C30645EH和C30662EH产品中的相同。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度，而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端，设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。

特性 Features

• 系统带宽：200 MHz

• 超低等效噪声功率（NEP）：
• 在830 nm处为35 fW/√Hz

• 在900 nm处为40 fW/√Hz



• 光谱响应范围：400至1100nm

• 典型功耗：150 mW

• ±5 V放大器工作电压

• 50 Ω交流负载能力（交流耦合）

• 气密TO-8封装

• 高可靠性

简介

C30659-900-R5BH属于传感器变送器的光学传感器-光电二极管。由制造生产的C30659-900-R5BH光学传感器 - 光电二极管光电二极管系列产品可用于检测和测量光。基于类似于整流二极管中的光与半导体结的相互作用，市面上提供了适用于各种用途的器件。有些器件具有适用于窄波长范围的灵敏度，有些器件则具有适用于宽范围的灵敏度。有些器件适用于检测高速信号，例如光纤通信中的信号，有些器件则适用于检测极低光度（甚至单个光子），应用范围从医学成像到测距。