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C2M120W080

SiC MOSFET

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锴威特

技术参数

  • Package:

    TO247-3

  • Configuration:

    single

  • VDS (V):

    1200

  • VGS (V):

    25

  • ID* (A)@25°C:

    18

  • RDS(ON) (mΩ)VGS=20Vtyp:

    80

  • RDS(ON) (mΩ)VGS=20Vmax:

    96

  • VGS(th) (V)min:

    2

  • VGS(th) (V)max:

    3.5

  • Ciss(pF):

    1303

  • Crss (pF):

    53

  • Qg* (nC):

    96

  • Qgd (nC):

    45

  • Trr (ns):

    40

  • Qrr (nC):

    43

  • Coss (pF):

    367

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Convert Semiconductor(锴威特半
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TO-247-3L
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更多C2M120W080供应商 更新时间2026-3-16 15:01:00