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C2M0025120D	文件：969.31 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode SiliconCarbidePowerMOSFETC2M™MOSFETTechnology N-ChannelEnhancementMode Features •HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances •EasytoParallelandSimpletoDrive •AvalancheRuggedness •ResistanttoLatch-Up •HalogenFree,Ro	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C2M0025120D	文件：893.05 Kbytes Page：11 Pages	Marking：C2M0025120；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Power MOSFET C2M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features •HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances •EasytoParallelandSimpletoDrive •AvalancheRuggedness •ResistanttoLatch-Up •HalogenFree,RoHSCompliant Benefits •HigherSystemEfficiency •ReducedCoolingRequirements •I	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C2M0025120D	文件：346.87 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageCapacitiveLoads ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
S2M0025120D	文件：2.64846 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=25mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0025120J	文件：4.58134 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=25mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0025120JTR	文件：4.58134 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=25mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0025120K	文件：3.9162 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=25mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •“-A”isanAEC-Q101qualifieddevice. •ThefinishofterminalsispurematteSn.	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0025120N	文件：2.61652 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=25mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode.	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

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