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C2878	文件：245.77 Kbytes Page：4 Pages	For Muting and Switching Applications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
C2878	文件：172.42 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
C2878	文件：221.91 Kbytes Page：4 Pages	For Muting and Switching Applications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
C2878	文件：245.77 Kbytes Page：4 Pages	For Muting and Switching Applications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
C2878	文件：221.91 Kbytes Page：4 Pages	For Muting and Switching Applications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
C2878	文件：505.54 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type For Muting and Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2878	文件：222.3 Kbytes Page：8 Pages	QUADHIGH-CURRENTDARLINGTONSWITCHES ThesequadDarlingtonarraysaredesignedtoserveasinterfacebetweenlow-levellogicandperipheralpowerdevicessuchassolenoids,motors,incandescentdisplays,heaters,andsimilarloadsofupto320Wperchannel.Bothintegratedcircuitsincludetransient-suppressiondiodesthatenableu	Allegro Allegro MicroSystems
AM2878	文件：496.23 Kbytes Page：14 Pages	OneChannelH-BridgeMotorDriver FeaturesandBenefits 1)LowestRDS(ON)115mΩforhighefficientH-Bridgeoutput 2)SOP-8packageforsmallsizePCBlayout 3)Maximumcontinuouscurrentoutput3A 4)Operationvoltagerange4Vto33V 5)Absolutemaximumvoltage42V 6)Overtemperatureprotection 7)Overcurrentprotection	AMTEK Amtek Technology Co., Ltd.
BU2878FS	文件：132.38 Kbytes Page：8 Pages	On-screendisplayforVCRs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
FTC2878	文件：281.25 Kbytes Page：2 Pages	HighEmitter-BaseVoltage	FS First Silicon Co., Ltd
LM2878	文件：174.82 Kbytes Page：8 Pages	LM2878Dual5WattPowerAudioAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LM2878P	文件：174.82 Kbytes Page：8 Pages	LM2878Dual5WattPowerAudioAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
NJM2878	文件：212.58 Kbytes Page：11 Pages	LowDropoutVoltageRegulator GENERALDESCRIPTION TheNJM2878isa150mAoutputlowdropoutvoltageregulator withON/OFFcontrol. Advancedbipolartechnologyachieveslownoise,highripple rejection,highaccuracyandlowquiescentcurrent. Smallpackaging(SC-88A/SC82AB)andverysmallpackaging ESON4),0.47μFsmalld	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社
RF2878	文件：492.71 Kbytes Page：14 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	QORVOQorvo, Inc Qorvo
RF2878	文件：282.17 Kbytes Page：11 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices
RF2878	文件：197.66 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices
RF2878PCBA-D	文件：197.66 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices
RF2878PCBA-D	文件：282.17 Kbytes Page：11 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices
RF2878PCBA-L	文件：282.17 Kbytes Page：11 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices
RF2878PCBA-L	文件：197.66 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices

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